半导体大盘点！国产十大设备龙头全梳理
发布时间：2024-05-22
1、刻蚀设备
刻蚀设备主要用于将光刻过程中形成的图案转移到硅片上的其他层，如氧化层、硅层、金属层等。刻蚀过程可以通过物理、化学或物理化学方法进行。
日立高新和细美事分别占据全球3.45%和2.53%的市场份额。
国内中微公司在全球市场的占有率为1.37%，科磊占比1.23%，北方华创占比0.89%，爱发科占比0.19%，屹唐半导体占比0.10%。
2、薄膜沉积设备
薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能。
薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。
CVD占沉积设备整体市场份额的64%，其技术路线较多，具有较好的孔隙填充和膜厚控制能力，因此是应用最广的沉积设备。
从市场格局来看，薄膜沉积设备主要被日本、美国和欧洲的厂商主导。
据Gartner数据，PVD设备方面，应用材料具有绝对份额优势，占据85%的市场份额；应用材料、泛林半导体和东京电子是CVD设备市场中的佼佼者，分别占比30%、21%和19%；ALD设备中，东京电子和ASMI是行业龙头，分别占有31%和29%的市场份额。
国内厂商中，北方华创和拓荆科技的薄膜沉积设备研发进展较为领先，中微公司在深耕用于LED制造的MOCVD的同时加码钨填充CVD设备。
北方华创的CVD、PVD等相关设备已具备28nm工艺水平；14nm先进制程薄膜沉积设备与ALD设备已在客户端通过多道制程工艺验证并实现应用。
中微公司的钨填充CVD设备可应用于先进逻辑器件接触孔填充，以及64层、128层和200层以上的3D NAND中的若干关键薄膜沉积步骤。
拓荆科技的部分CVD设备已广泛应用于中国晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开14nm及以下制程产品验证测试；部分ALD设备已应用于中国晶圆厂28nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开28nm及以下制程产品验证测试。
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